Art

J-GLOBAL ID：201202294303611470   Reference number：12A0854170

Heteroepitaxial growth of GaN on Si substrate and its application to devices.

Si基板上へのGaN単結晶の成長とデバイス応用

Author (1)： EGAWA TAKASHI (名古屋工大 極微デバイス機能システム研究セ)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 81  Issue： 6  Page： 485-488  Publication year： Jun. 10, 2012 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  *HEMT ,  *MOCVD ,  substrate (plate) ,  multilayer film ,  oxide film ,  etch pit ,  voltage ,  threading dislocation ,  power transistor ,  single crystal ,  heteroepitaxy ,  dielectric breakdown ,  semiconductor thin film ,  gate dielectric film ,  aluminum gallium nitride ,  breakdown voltage ,  conversion coating film
Semi thesaurus term： breakdown voltage

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (11)：

• EGAWA, T. Electron. Lett. 2000, 36, 1816
• DADGAR, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, L1183
• 梅野正義. 応用物理. 2003, 72, 273
• IWAKAMI, S. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L587
• HOSHI, S. Applied Physics Express. 2009, 2, 061001

Terms in the title (4)： Si基板 ,  GaN ,  単結晶の成長 ,  応用