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J-GLOBAL ID：201202294647293868   Reference number：12A0259663

表面光電圧を用いた新しい多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価法

Author (4)： IKEDA MASANORI (日本大 工) ,  SHIMIZU HIROFUMI (日本大 工) ,  TAKAMATSU HIROYUKI (神戸製鋼所) ,  SAKODA NAOKAZU (神戸製鋼所)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
Volume： J95-C  Issue： 2  Page： 41-42  Publication year： Feb. 01, 2012 
JST Material Number： S0623C  ISSN： 1345-2827  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *polysilicon ,  *crystal grain size (diameter) ,  thin film ,  *spectroscopy ,  polycrystalline thin film ,  *surface photovoltaic spectroscopy
Semi thesaurus term： *SPVS (spectroscopy)

JST classification (1)： Spectroscopy and spectrometers in general  (BD07041Q)

Reference (2)：

• H. Shimizu and C. Munakata, “Nondestructive diagnostic method using AC surface photovoltage for detecting metallic contaminants in silicon wafers,” J. Appl. Phys., vol.73, no.12, pp. 8336-8339, 1993.
• H. Shimizu, R. Shin, and M. Ikeda, “Behavior of metal-induced negative oxide charges on the surface of N-type silicon wafers using frequency-dependent AC surface photovoltage measurements,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.44, no.6A, pp. 3778-3783, 2005.

Terms in the title (6)： 光電 ,  圧 ,  多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  結晶粒径 ,  評価法