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J-GLOBAL ID:201203006508381050

太陽電池及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010176333
Publication number (International publication number):2012038852
Application date: Aug. 05, 2010
Publication date: Feb. 23, 2012
Summary:
【解決手段】シリコン基板の受光面側にシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成し、この拡散層上に誘電体膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法であって、上記誘電体膜上に、ヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するシラン化合物を塗布する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。【効果】本発明によれば、パッシベーション効果の優れたパッシベーション膜の形成が可能となり、その結果、高変換効率の太陽電池を提供することができる。【選択図】なし
Claim (excerpt):
シリコン基板の受光面側にシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成し、この拡散層上に誘電体膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法であって、上記誘電体膜上に、ヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するシラン化合物を塗布する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (1):
H01L 31/04
FI (2):
H01L31/04 F ,  H01L31/04 H
F-Term (13):
5F151AA02 ,  5F151CB20 ,  5F151CB27 ,  5F151EA13 ,  5F151EA18 ,  5F151FA06 ,  5F151FA10 ,  5F151FA14 ,  5F151FA15 ,  5F151FA17 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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