ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：福田賢三 , 福田伸一 , 加藤恭介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010264199
Publication number (International publication number)：2012114373
Application date： Nov. 26, 2010
Publication date： Jun. 14, 2012
Summary：

【課題】電気二重層法を用いてチャンネルに高濃度の電荷注入を行うことで抵抗を変化させる電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタをスイッチング素子として利用したメモリ素子を提供する。【解決手段】化学式がCa1-xCexMnO3(但し、xは0≦x<1を満たす実数である)で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層として、電界効果トランジスタを構成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

化学式Ca1-xCexMnO3(但し、xは0≦x<1を満たす実数である)で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層として備える、電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 49/00 , H01L 21/336 , H01L 27/10

FI (7)：

H01L29/78 618B , H01L49/00 Z , H01L29/78 622 , H01L29/78 613B , H01L29/78 617T , H01L29/78 626C , H01L27/10 451

F-Term (25)：

5F083FZ10 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083JA38 , 5F083JA60 , 5F110AA04 , 5F110AA07 , 5F110BB05 , 5F110BB13 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK21 , 5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

強誘電体FET素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-073857 Applicant：三菱化学株式会社
スイッチング素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-284927 Applicant：株式会社東芝
ペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法、電子機能素子材料として用いられるペロブスカイト型酸化物、ペロブスカイト型酸化物を用いた電子機能素子及び電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-283474 Applicant：国立大学法人広島大学

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Cited by examiner (6)

強誘電体FET素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-073857 Applicant：三菱化学株式会社
スイッチング素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-284927 Applicant：株式会社東芝
ペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法、電子機能素子材料として用いられるペロブスカイト型酸化物、ペロブスカイト型酸化物を用いた電子機能素子及び電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-283474 Applicant：国立大学法人広島大学

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