半導体ウエハの洗浄方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：辻田幸史 , 清水善廣 , 阿部伸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010235055
Publication number (International publication number)：2012089679
Application date： Oct. 20, 2010
Publication date： May. 10, 2012
Summary：

【課題】少ないアンモニアの使用量で半導体ウエハを効果的に洗浄する方法を提供すること。【解決手段】電気伝導度が1μS/cm以下である純水にアンモニアを添加してその濃度を0.005〜0.5%としたアンモニア水中において生成させた、粒径が50μm以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において10〜15μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が1000個/mL以上である、空気および/または不活性気体を含有する微小気泡を含むアンモニア水を、半導体ウエハの表面に接触させて行うことを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電気伝導度が1μS/cm以下である純水にアンモニアを添加してその濃度を0.005〜0.5%としたアンモニア水中において生成させた、粒径が50μm以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において10〜15μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が1000個/mL以上である、空気および/または不活性気体を含有する微小気泡を含むアンモニア水を、半導体ウエハの表面に接触させて行う半導体ウエハの洗浄方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 , B08B 3/08

FI (2)：

H01L21/304 647Z , B08B3/08 Z

F-Term (25)：

3B201AA03 , 3B201AB01 , 3B201BB01 , 3B201BB21 , 3B201BB38 , 3B201BB92 , 3B201BB98 , 3B201BB99 , 5F157AA42 , 5F157AA66 , 5F157AA72 , 5F157AC01 , 5F157BB01 , 5F157BB11 , 5F157BB79 , 5F157BC05 , 5F157BC13 , 5F157BC16 , 5F157BD22 , 5F157BE12 , 5F157BE33 , 5F157CF56 , 5F157DB03 , 5F157DB18 , 5F157DB41

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

シリコンウェハのウェット処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-241474 Applicant：ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフト
電子材料用洗浄液および洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-277936 Applicant：ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフト
半導体ウェーハを湿式化学的処理する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-293975 Applicant：ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフト

Cited by examiner (1)

シリコンウェハのウェット処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-241474 Applicant：ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフト

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