半導体ウェーハを湿式化学的処理する方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , 杉本博司 , 星公弘 , 二宮浩康 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008293975
Publication number (International publication number)：2009141347
Application date： Nov. 18, 2008
Publication date： Jun. 25, 2009
Summary：

【課題】液状被膜中へのガス成分の改善された拡散で半導体ウェーハを湿式化学的処理するのに特に効果的な方法を提供する。【解決手段】a)半導体ウェーハを回転させ;b)100μmまたはそれ以下の直径を有する気泡を有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ;c)回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し;d)液状被膜を除去する。【効果】改善された粒子の清浄化がマイクロバブルとシリコン表面を腐蝕する清浄化化学薬品との組合せによって達成され、清浄化液体中への反応性ガスの改善されたガス輸送(拡散)は、有機汚染物質および金属含有汚染物質の酸化および除去を簡易化し、ウェーハの中心での液状被膜の隆起は、マイクロバブルの使用によって減少される。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハを湿式化学的処理する方法において、a)半導体ウェーハを回転させ;b)100μmまたはそれ以下の直径を有する気泡を含有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ;c)回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し;d)液状被膜を除去することを特徴とする、半導体を湿式化学的処理する方法。

IPC (1)：

H01L 21/304

FI (6)：

H01L21/304 643A , H01L21/304 643C , H01L21/304 645B , H01L21/304 647A , H01L21/304 647Z , H01L21/304 647B

F-Term (54)：

5F157AA22 , 5F157AA28 , 5F157AA29 , 5F157AA42 , 5F157AA46 , 5F157AA73 , 5F157AA77 , 5F157AB02 , 5F157AB33 , 5F157AB90 , 5F157AC01 , 5F157AC25 , 5F157BB22 , 5F157BB37 , 5F157BB66 , 5F157BB73 , 5F157BB79 , 5F157BC13 , 5F157BC53 , 5F157BC54 , 5F157BD02 , 5F157BD25 , 5F157BD33 , 5F157BD35 , 5F157BD36 , 5F157BE12 , 5F157BE23 , 5F157BE33 , 5F157BE35 , 5F157BE43 , 5F157BE44 , 5F157BE46 , 5F157BE66 , 5F157BF03 , 5F157BF22 , 5F157BF23 , 5F157BF38 , 5F157BF39 , 5F157BG02 , 5F157BG03 , 5F157BG04 , 5F157BG05 , 5F157BG24 , 5F157BG27 , 5F157BG39 , 5F157BH21 , 5F157CE05 , 5F157CE07 , 5F157CE10 , 5F157CE32 , 5F157CE37 , 5F157DB11 , 5F157DB17 , 5F157DB43

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体装置の製造方法、及び、半導体装置、半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-046376 Applicant：株式会社リコー
パーティクル除去方法および基板処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-129606 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
基材処理方法、基材処理装置及び電子デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-202409 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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Cited by examiner (7)

半導体装置の製造方法、及び、半導体装置、半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-046376 Applicant：株式会社リコー
パーティクル除去方法および基板処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-129606 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
基材処理方法、基材処理装置及び電子デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-202409 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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