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J-GLOBAL ID：201203027017259870

高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法

Inventor：
辰巳 夏生

About 辰巳 夏生

, 
佐藤 武

About 佐藤 武

, 
角谷 均

About 角谷 均


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (2)： 酒井 正己 ,  加々美 紀雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010214869
Publication number (International publication number)：2012066979
Application date： Sep. 27, 2010
Publication date： Apr. 05, 2012
Summary：
【課題】切削バイトや、ドレッサー、ダイスなどの工具や、掘削ビットとして適用できる、十分な強度、硬度、耐熱性、耐酸化性を有し、高純度で、かつ、低コストの放電加工が可能な、高硬度で導電性のあるダイヤモンド多結晶体及びその製造方法の提供。【解決手段】高純度グラファイトもしくは非ダイヤモンド状炭素にホウ素アルコキシドを含浸させた後、これを温度1500°C以上で、ダイヤモンドが熱力学的に安定である圧力条件下で、焼結助剤や触媒の添加無しに直接的にダイヤモンドに変換させると同時に焼結させることを特徴とする、ダイヤモンドの最大粒径が5000nm以下、平均粒径が2500nm以下で、ダイヤモンド粒子内にホウ素を10ppm以上1000ppm以下含む高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体の製造方法及びこれによって得られた高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
高純度グラファイトもしくは非ダイヤモンド状炭素にホウ素アルコキシドを含浸させた後、これを温度1500°C以上で、ダイヤモンドが熱力学的に安定である圧力条件下で、焼結助剤や触媒の添加無しに直接的にダイヤモンドに変換させると同時に焼結させることを特徴とする、ダイヤモンドの最大粒径が5000nm以下、平均粒径が2500nm以下で、ダイヤモンド粒子内にホウ素を10ppm以上1000ppm以下含む高硬度導電性ダイヤモンド多結晶体の製造方法。
IPC (4)：
C04B 35/52 ,  C01B 31/06 ,  B23B 27/14 ,  B23B 27/20
FI (4)：
C04B35/52 301B ,  C01B31/06 A ,  B23B27/14 B ,  B23B27/20
F-Term (24)：
3C046FF35 ,  3C046FF55 ,  3C046HH04 ,  3C046HH06 ,  4G146AA04 ,  4G146AB01 ,  4G146AC02A ,  4G146AC02B ,  4G146AC20A ,  4G146AC20B ,  4G146AC23A ,  4G146AC23B ,  4G146AD06 ,  4G146AD22 ,  4G146AD26 ,  4G146BA02 ,  4G146BB11 ,  4G146BC05 ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4G146BC35A ,  4G146BC35B ,  4G146BC36A ,  4G146BC45
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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