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J-GLOBAL ID：200903097933044750

ダイヤモンド被覆電極及びその製造方法

Inventor： 泉 健二 ,  関 裕一郎 ,  今井 貴浩
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (4)： 酒井 正己 ,  加々美 紀雄 ,  小松 純 ,  小松 秀岳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004341971
Publication number (International publication number)：2006152338
Application date： Nov. 26, 2004
Publication date： Jun. 15, 2006
Summary：

【課題】 十分に抵抗が低く、且つダイヤモンドの膜質を悪くせず、ダイヤモンド膜と基板間の膜密着力、電解耐剥離性が強いダイヤモンド被覆電極、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に導電性ダイヤモンドの層を被覆した電極であって、前記基板が絶縁体によって形成されており、ダイヤモンド中のホウ素濃度が100〜10000ppmであり、タングステン濃度が、1〜100000ppmであることを特徴とするダイヤモンド被覆電極。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

基板上に導電性ダイヤモンドの層を被覆した電極であって、前記基板が絶縁体によって形成されており、ダイヤモンド中のホウ素濃度が100〜10000ppmであり、タングステン濃度が、1〜100000ppmであることを特徴とするダイヤモンド被覆電極。

IPC (4)：

C25B 11/06 ,  C25B 11/04 ,  C25B 11/12 ,  C02F 1/461

FI (4)：

C25B11/06 Z ,  C25B11/04 A ,  C25B11/12 ,  C02F1/46 101C

F-Term (10)：

4D061DA08 ,  4D061DB19 ,  4D061DC10 ,  4D061EA03 ,  4D061EB02 ,  4D061EB04 ,  4D061EB31 ,  4K011AA20 ,  4K011AA66 ,  4K011DA11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• ダイヤモンド層で被覆された電極およびその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-074507   Applicant：ビーエーエスエフアクチェンゲゼルシャフト
• ダイヤモンド電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-163561   Applicant：株式会社神戸製鋼所

Cited by examiner (6)

• 機能水、その製造方法及び製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-099553   Applicant：ワッカー・エヌエスシーイー株式会社, 株式会社ピュアトロン, ペルメレック電極株式会社
• 電解フッ素化反応用電極と有機電解フッ素化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-004677   Applicant：科学技術振興事業団
• 特開平4-254496
  
• ウエハ-及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-162927   Applicant：住友電気工業株式会社
• 導電性ダイヤモンド及び導電性ダイヤモンド形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-183292   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開平4-254496