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J-GLOBAL ID：201203035722545345

パターン形成方法

Inventor：
畠山 潤

About 畠山 潤


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (4)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011116495
Publication number (International publication number)：2012032780
Application date： May. 25, 2011
Publication date： Feb. 16, 2012
Summary：
【解決手段】式(1)で示される酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位aと、ラクトン環を有する繰り返し単位bを含有する(メタ)アクリレートポリマーと、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液として2-ヘプタノンを50質量%以上含有する溶液による現像を行うパターン形成方法。(式中、R2は酸不安定基である。)【効果】安全にネガティブトーンパターンを形成できるプロセスを構築できる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示される酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位aと、ラクトン環を有する繰り返し単位bの両方を含有する(メタ)アクリレートポリマーと、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液として2-ヘプタノンを50質量%以上含有する溶液による現像を行うことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5)：
G03F 7/32 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  C08F 220/26 ,  H01L 21/027
FI (5)：
G03F7/32 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  C08F220/26 ,  H01L21/30 569E
F-Term (64)：
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA01 ,  2H096EA05 ,  2H096EA30 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H096GA18 ,  2H096JA08 ,  2H125AF15P ,  2H125AF17P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AH11 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ24Y ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ70X ,  2H125AJ74Y ,  2H125AL03 ,  2H125AL22 ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN51P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03R ,  4J100BA56S ,  4J100BB18S ,  4J100BC09R ,  4J100BC12P ,  4J100BC15R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC58Q ,  4J100BC59S ,  4J100BC84Q ,  4J100BC84S ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38 ,  5F146LA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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