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J-GLOBAL ID：201003012203977764

レジストパターン形成方法

Inventor：
安藤 友之

About 安藤 友之

, 
阿部 翔

About 阿部 翔

, 
渡部 良司

About 渡部 良司

, 
平原 孔明

About 平原 孔明


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (4)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008203201
Publication number (International publication number)：2010040849
Application date： Aug. 06, 2008
Publication date： Feb. 18, 2010
Summary：
【課題】ネガ型の化学増幅型レジスト組成物を用いた二重露光により微細なコンタクトホールパターンを形成できる新規なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】支持体11上に、ネガ型の化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜12を形成し、前記レジスト膜に対し、フォトマスクを介した第一の露光を行い、第一のラインアンドスペースパターンの潜像12’を形成した後、フォトマスクを介した第二の露光を行い、前記第一のラインアンドスペースパターンの潜像と交差するように、第二のラインアンドスペースパターンの潜像12’’を形成し、前記レジスト膜を現像して前記レジスト膜にホールパターンを形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
支持体上に、ネガ型の化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、 前記レジスト膜に対し、フォトマスクを介した第一の露光を行い、第一のラインアンドスペースパターンの潜像を形成した後、フォトマスクを介した第二の露光を行い、前記第一のラインアンドスペースパターンの潜像と交差するように、第二のラインアンドスペースパターンの潜像を形成し、 前記レジスト膜を現像して前記レジスト膜にホールパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/38 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/20
FI (5)：
H01L21/30 502C ,  G03F7/38 511 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/20 501 ,  H01L21/30 514A
F-Term (30)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE07 ,  2H025CB14 ,  2H025CB45 ,  2H025CC17 ,  2H025FA01 ,  2H025FA04 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H096AA25 ,  2H096DA10 ,  2H096EA12 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H097AA11 ,  2H097AA12 ,  2H097JA02 ,  2H097LA10 ,  2H097LA20 ,  5F046AA11 ,  5F046AA13 ,  5F046AA25
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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