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J-GLOBAL ID：201103002334059720

パターン形成方法及びレジスト組成物

Inventor： 上村 聡 ,  樽谷 晋司 ,  岩戸 薫 ,  片岡 祥平 ,  水谷 一良 ,  土橋 徹 ,  榎本 雄一郎 ,  藤井 佳奈 ,  加藤 啓太
Applicant, Patent owner： 富士フイルム株式会社
Agent (18)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010082701
Publication number (International publication number)：2011215333
Application date： Mar. 31, 2010
Publication date： Oct. 27, 2011
Summary：

【課題】現像欠陥の少ないパターンを形成可能とするパターン形成方法及びレジスト組成物を提供する。【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、(A)レジスト組成物を用いて膜を形成することと、(B)前記膜を露光することと、(C)有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含んでいる。上記レジスト組成物は、酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含んだ樹脂と、下記成分(S1)及び成分(S2)の少なくとも一方を含んだ溶剤とを含有している。 (S1)プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート; (S2)プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル、鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、及びアルキレンカーボネートからなる群より選択される少なくとも1つ。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

(A)レジスト組成物を用いて膜を形成することと、 (B)前記膜を露光することと、 (C)有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することと を含んだパターン形成方法であって、 前記レジスト組成物は、 酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含み且つ酸の作用により有機溶剤を含んだ現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、 下記成分(S1)及び成分(S2)の少なくとも一方を含んだ溶剤と を含有しているパターン形成方法。 (S1)プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート; (S2)プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル、鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、及びアルキレンカーボネートからなる群より選択される少なくとも1つ。

IPC (4)：

G03F 7/038 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F7/038 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/32 ,  H01L21/30 502R

F-Term (53)：

2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096DA01 ,  2H096EA04 ,  2H096EA30 ,  2H096FA01 ,  2H096GA03 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF21P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AF39P ,  2H125AF45P ,  2H125AH05 ,  2H125AH06 ,  2H125AH07 ,  2H125AH13 ,  2H125AH14 ,  2H125AH22 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ66X ,  2H125AJ68X ,  2H125AN08P ,  2H125AN37P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN44P ,  2H125AN51P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125AN58P ,  2H125AN59P ,  2H125AN62P ,  2H125AN63P ,  2H125AN65P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125CC23 ,  2H125FA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-155323   Applicant：富士フイルム株式会社
• ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-190971   Applicant：富士フイルム株式会社
• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-043412   Applicant：富士フイルム株式会社
• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-245335   Applicant：富士フイルム株式会社
• フォトレジスト用重合体及びその組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-119497   Applicant：住友化学株式会社
• アセタール化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-058739   Applicant：信越化学工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-235764   Applicant：東京応化工業株式会社
• パターン形成方法及びレジスト組成物並びにアセタール化合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-058724   Applicant：信越化学工業株式会社
• 感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト成膜方法及びレジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-305422   Applicant：JSR株式会社
• レジストパターン形成方法、ネガ型現像用レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-016422   Applicant：東京応化工業株式会社
• 化学増幅型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-045471   Applicant：住友化学株式会社
• ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-097432   Applicant：東京応化工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物、樹脂および重合性化合物、それを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-040997   Applicant：富士フイルム株式会社