パワー半導体モジュール

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010292460
Publication number (International publication number)：2012142351
Application date： Dec. 28, 2010
Publication date： Jul. 26, 2012
Summary：

【課題】複数のパワー半導体素子と保護回路部品の実装密度を高め、かつ浮遊インダクタンスを抑制した構造の、高信頼度のパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】リードフレーム51の一方の面に、パワー半導体素子1が直接電気接続され、これに対向するように、リードフレーム51の他方の面に、保護回路素子2が直接電気接続され、パワー半導体素子1を計測する温度センサ23、電流センサ32、電圧センサが、個々のパワー半導体素子に設置されている。電流センサ32は、パワー半導体素子1の電極に電気的に接続された電流端子3に設けられ、電流端子3はリードフレーム52に接続される。温度センサ23は、パワー半導体素子1と保護回路素子2と電流端子3とにより生じる空隙に配置される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電流の開閉を行う複数のパワー半導体素子と、該パワー半導体素子を保護する保護回路素子と、リードフレームとを備えるパワー半導体モジュールであって、前記リードフレームの一方の面に、パワー半導体素子が直接電気接続され、前記保護回路素子は、前記リードフレームの他方の面に、前記パワー半導体素子と対向するように、直接電気接続され、前記パワー半導体素子を計測する温度センサ、電流センサ、電圧センサのいずれか1つ以上のセンサが、個々のパワー半導体素子に設置されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (4)：

H01L 23/62 , H01L 23/58 , H01L 25/07 , H01L 25/18

FI (3)：

H01L23/56 A , H01L23/56 D , H01L25/04 C

F-Term (8)：

5H740BA11 , 5H740MM01 , 5H740MM08 , 5H740MM11 , 5H740NN17 , 5H740PP02 , 5H740PP03 , 5H740PP06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

パワーモジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-069469 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-217246 Applicant：本田技研工業株式会社
パワー半導体モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-344360 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (3)

パワーモジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-069469 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-217246 Applicant：本田技研工業株式会社
パワー半導体モジュール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-344360 Applicant：三菱電機株式会社

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