酸化物半導体の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：渡辺喜平 , 田中有子 , 佐藤猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010246557
Publication number (International publication number)：2012099661
Application date： Nov. 02, 2010
Publication date： May. 24, 2012
Summary：

【課題】ZnOの結晶性を向上させることができ、それによってZnO薄膜の膜厚を小さくすることができ、十分な電界効果移動度と高い透過率を達成できる金属酸化物薄膜の積層構造を提供する。【解決手段】In及びSnのいずれか一方又は両方の金属元素M1の酸化物を含有する非晶質膜である第一の薄膜、及び、前記第一の薄膜上に接触して積層された、少なくともZnOを含有する第二の薄膜からなる積層構造。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

In及びSnのいずれか一方又は両方の金属元素M1の酸化物を含有する非晶質膜である第一の薄膜、及び前記第一の薄膜上に接触して積層された、少なくともZnOを含有する第二の薄膜からなる積層構造。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 31/04

FI (3)：

H01L29/78 618E , H01L31/04 E , H01L29/78 618B

F-Term (22)：

5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN04 , 5F110NN14 , 5F110NN16 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F151AA10 , 5F151FA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

薄膜電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-159841 Applicant：富士フイルム株式会社
電界効果型トランジスタ及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-222514 Applicant：キヤノン株式会社
半導体装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-268997 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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