不揮発性半導体記憶装置及びその作製方法、半導体装置及びその作製方法、並びに絶縁膜の作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007136709
Publication number (International publication number)：2008004929
Application date： May. 23, 2007
Publication date： Jan. 10, 2008
Summary：

【課題】膜特性に優れる絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。特に、緻密で高耐圧な絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。また、電子トラップの少ない絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。【解決手段】酸素を含む絶縁膜に対して、高周波を用いて電子密度が1×1011cm-3以上、且つ電子温度が1.5eV以下の条件でプラズマ処理を行う。また、プラズマ処理は、酸素を含む雰囲気下で行う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体領域を形成し、前記半導体領域上に酸素及び水素を含む第1の絶縁膜を形成し、酸素を含む雰囲気下で、マイクロ波により励起されたプラズマを用いて前記第1の絶縁膜をプラズマ処理することにより膜中の水素含有量を低減し、前記第1の絶縁膜上に浮遊ゲート電極を形成し、前記浮遊ゲート電極上に第2の絶縁膜を形成し、酸素を含む雰囲気下で、マイクロ波により励起されたプラズマを用いて前記第2の絶縁膜をプラズマ処理し、前記第2の絶縁膜上に制御ゲート電極を形成し、前記制御ゲート電極をマスクとして不純物元素を添加し、前記半導体領域に一対の不純物領域を形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の作製方法。

IPC (9)：

H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/10 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (8)：

H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/10 481 , H01L29/78 617V , H01L21/316 P , H01L21/316 X , H01L21/318 C , H01L29/78 613B

F-Term (142)：

5F058BA20 , 5F058BB05 , 5F058BB06 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD15 , 5F058BF02 , 5F058BF12 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF52 , 5F058BH16 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02 , 5F083EP02 , 5F083EP04 , 5F083EP22 , 5F083EP23 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP44 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083EP76 , 5F083EP77 , 5F083ER02 , 5F083ER03 , 5F083ER05 , 5F083ER13 , 5F083ER21 , 5F083ER30 , 5F083GA21 , 5F083GA24 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083NA01 , 5F083PR12 , 5F083PR34 , 5F083PR43 , 5F083PR45 , 5F083PR53 , 5F083PR55 , 5F083ZA07 , 5F083ZA12 , 5F101BA19 , 5F101BA26 , 5F101BA36 , 5F101BB02 , 5F101BB05 , 5F101BB08 , 5F101BC02 , 5F101BC11 , 5F101BD07 , 5F101BD22 , 5F101BD30 , 5F101BD33 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BD40 , 5F101BE01 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BH01 , 5F101BH16 , 5F101BH21 , 5F110AA06 , 5F110AA08 , 5F110AA12 , 5F110BB08 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110EE32 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL08 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-212103 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (5)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-094245 Applicant：大見忠弘
酸化シリコン薄膜の改質方法および薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-109234 Applicant：松下電器産業株式会社
液晶表示装置の製造方法及び製造装置及び液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-041379 Applicant：株式会社日立製作所

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