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J-GLOBAL ID:201203050674757369

RI製造装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2011045283
Publication number (International publication number):2012181145
Application date: Mar. 02, 2011
Publication date: Sep. 20, 2012
Summary:
【課題】自己シールド内に配置された機器のメンテナンスの際に、放射化されたターゲットからの被爆のおそれを低減することができ、放射線の減衰のための待機時間を短縮することが可能なRI製造装置を提供する。【解決手段】荷電粒子を加速させる加速器2と、荷電粒子ビームが照射されるターゲット3と、これらの加速器2及びターゲット3を取り囲んで放射線を遮蔽する自己シールド6とを有するRI製造装置1であって、自己シールド6と加速器2との間にターゲット3を取り囲んで放射線を遮蔽するターゲットシールド7,8を備える構成とする。自己シールド6を開放した場合でも、ターゲット3からの放射線はターゲットシールド7,8によって遮蔽されるため、ターゲット3以外の機器をメンテナンスする際には、放射線の減衰を待たずに作業を行うことができる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
荷電粒子を加速させる加速器と、 前記加速器で加速された前記荷電粒子が照射されて放射性同位元素を製造するターゲットと、 前記加速器及び前記ターゲットを取り囲んで放射線を遮蔽する壁体である自己シールドと、 前記自己シールドと前記加速器との間に配置され、前記ターゲットを取り囲んで放射線を遮蔽する壁体であるターゲットシールドと、を備えることを特徴とするRI製造装置。
IPC (1):
G21G 1/10
FI (1):
G21G1/10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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