Pat

J-GLOBAL ID：201203057215523953

垂直磁化磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ

Inventor： 大野 英男 ,  池田 正二 ,  山ノ内 路彦 ,  佐藤 英夫 ,  三浦 勝哉
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  国立大学法人東北大学
Agent (3)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011119409
Publication number (International publication number)：2012248688
Application date： May. 27, 2011
Publication date： Dec. 13, 2012
Summary：

【課題】垂直磁気異方性を有する強磁性材料を用いて作製した磁気抵抗効果素子において、ビット情報に対応する磁化の平行状態及び反平行状態の熱安定性が不均衡になり、保存している情報により記録保持時間が異なる状態を改善する。【解決手段】磁気抵抗効果素子を構成する参照層106と記録層107の面積を異ならせることにより、保存している情報に応じた記録保持時間の差を補正する。【選択図】図8

Claim (excerpt)：

磁化方向が不変である参照層と、 磁化方向が可変である記録層と、 前記参照層と前記記録層の間に電気的に接続された非磁性層とを備え、 前記参照層及び前記記録層の磁化は膜面に対して垂直方向であり、 前記参照層及び前記記録層は電流供給端子を備え、 前記参照層の面積が前記記録層の面積より大きいことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08

FI (3)：

H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z

F-Term (30)：

4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD17 ,  4M119DD22 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119GG03 ,  4M119JJ12 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43 ,  5F092BE27 ,  5F092CA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 磁気抵抗素子および該素子を用いた不揮発固体メモリおよびそれらの記録再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-306540   Applicant：キヤノン株式会社
• 磁気記憶素子およびこの磁気記憶素子を備えた磁気メモリならびに磁気メモリの駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-287601   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗記憶装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-094557   Applicant：日本電気株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-172845   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-280620   Applicant：株式会社東芝