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J-GLOBAL ID：200903013824957053

磁気抵抗素子および該素子を用いた不揮発固体メモリおよびそれらの記録再生方法

Inventor： 小金井 昭雄
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 西山 恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001306540
Publication number (International publication number)：2003110162
Application date： Oct. 02, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 非磁性層を介して磁性膜を積層した磁気抵抗膜において、一方の磁性膜からの漏洩磁界によって、他方の磁性層の保磁力などがオフセットするという問題点があった。【解決手段】 基板上に保磁力の異なる第1磁性層と第2磁性層が積層され、前記磁性層間に非磁性層が積層された磁気抵抗素子において、前記磁気抵抗素子の断面形状が台形であることを特徴とする磁気抵抗素子によって解決される。

Claim (excerpt)：

基板上に保磁力の異なる第1磁性層と第2磁性層が積層され、前記磁性層間に非磁性層が積層された磁気抵抗素子において、前記磁気抵抗素子の断面形状が台形であることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (2)：

H01L 43/08 ,  H01L 27/105

FI (3)：

H01L 43/08 P ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (5)：

5F083FZ10 ,  5F083HA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 磁気抵抗素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-109571   Applicant：キヤノン株式会社
• 磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製作方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-122085   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 磁気薄膜メモリ、磁気薄膜メモリの読出し方法、及び磁気薄膜メモリの書込み方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-302354   Applicant：キヤノン株式会社
• 磁気抵抗素子及び磁気メモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-109574   Applicant：キヤノン株式会社
• 磁気抵抗素子、磁気抵抗素子を用いた半導体記憶装置、およびこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-301459   Applicant：株式会社東芝
• 磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-058777   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 磁気抵抗ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-374575   Applicant：ヤマハ株式会社
• 磁気記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-277458   Applicant：株式会社東芝