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J-GLOBAL ID：201203075171056480

基板処理装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor：
佐々木 伸也

About 佐々木 伸也

, 
竹林 雄二

About 竹林 雄二

, 
小倉 慎太郎

About 小倉 慎太郎


Applicant, Patent owner：
株式会社日立国際電気

About 株式会社日立国際電気


Agent (4)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010253231
Publication number (International publication number)：2012104720
Application date： Nov. 11, 2010
Publication date： May. 31, 2012
Summary：
【課題】反応生成物や分解物がノズル内壁に堆積するのを抑えるとともに、異物が処理室内に飛散するのを抑える。【解決手段】 処理室と、加熱ユニットと、原料ガス供給ユニットと、原料ガスノズルと、排気ユニットと、少なくとも加熱ユニット、原料ガス供給ユニット、排気ユニットを制御する制御部と、を有し、原料ガスノズルは、処理室内の温度が原料ガスの熱分解温度よりも高い場合であっても内部で原料ガスが分解しないような処理室内の所定位置に配設され、制御部は、異なる流速で互いに混合させないよう処理室内に原料ガスを供給する処理を含むサイクルを所定回数実施させる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
複数枚の基板を水平姿勢に積層した状態で収容する処理室と、 前記処理室の外側に設けられ、前記処理室内を加熱する加熱ユニットと、 原料ガスを供給する原料ガス供給ユニットと、 前記原料ガス供給ユニットと接続され、前記原料ガス供給ユニットから供給される前記原料ガスを前記処理室内に供給する原料ガスノズルと、 前記処理室内を実質的に水平方向に排気する排気ユニットと、 少なくとも前記加熱ユニット、前記原料ガス供給ユニット、前記排気ユニットを制御する制御部と、 を有し、 前記原料ガスノズルは、前記処理室内の温度が前記原料ガスの熱分解温度よりも高い場合であっても内部で前記原料ガスが分解しないような前記処理室内の所定位置に配設され、 前記制御部は、異なる流速で互いに混合させないよう前記処理室内に前記原料ガスを供給する処理を含むサイクルを所定回数実施させるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (3)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C01F 7/02
FI (3)：
H01L21/31 B ,  C23C16/44 J ,  C01F7/02 A
F-Term (45)：
4G076AA02 ,  4G076AB11 ,  4G076BA04 ,  4G076BA41 ,  4G076BB01 ,  4G076BC01 ,  4G076BD02 ,  4G076BD04 ,  4G076CA10 ,  4G076DA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030AA24 ,  4K030BA43 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030JA12 ,  4K030KA22 ,  4K030KA23 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD09 ,  5F045BB02 ,  5F045BB14 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EF20 ,  5F045EK06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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