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J-GLOBAL ID:201203080550941680

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (7): 特許業務法人浅村特許事務所 ,  浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  上村 陽一郎 ,  安藤 克則 ,  亀岡 幹生 ,  浅野 裕一郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010186428
Publication number (International publication number):2012044109
Application date: Aug. 23, 2010
Publication date: Mar. 01, 2012
Summary:
【課題】半導体材料として特定の有機複素環化合物を用いて、実用的な印刷適性を有し、さらにキャリア移動度、ヒステリシスや閾値安定性などの優れた半導体特性を有し、産業上実用的な特定のトップゲート構造の電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】半導体材料として下記式(1)で表される化合物を含有し、特定のトップゲート-ボトムコンタクト構造を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。(式(1)中、R1及びR2はそれぞれ独立に無置換またはハロゲノ置換C1-C36脂肪族炭化水素基を表す。)【選択図】なし
Claim (excerpt):
半導体材料として下記式(1)で表される化合物を含有し、トップゲート構造を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (6):
H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/368 ,  C07D 495/04
FI (7):
H01L29/28 250H ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 617V ,  H01L21/368 L ,  C07D495/04 103
F-Term (77):
4C071AA01 ,  4C071AA07 ,  4C071BB01 ,  4C071BB05 ,  4C071CC22 ,  4C071DD04 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071GG01 ,  4C071GG02 ,  4C071LL10 ,  5F053AA06 ,  5F053DD19 ,  5F053LL10 ,  5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK11 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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