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J-GLOBAL ID：200903083448116105

有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ

Inventor： 田中 一郎 ,  大須賀 秀次
Applicant, Patent owner： 出光興産株式会社
Agent (1)： 杉本 勝徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007223575
Publication number (International publication number)：2009059751
Application date： Aug. 30, 2007
Publication date： Mar. 19, 2009
Summary：

【課題】大気中の安定性に優れ、かつ動作速度が大きい有機薄膜トランジスタが望まれている。【解決手段】この有機薄膜トランジスタは、基板上に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子と、ソース電極及びドレイン電極とゲート電極との間を絶縁する絶縁体層と、有機半導体層とが設けられていて、ゲート電極に印加された電圧によりソース-ドレイン間電流を制御する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層の結晶性を制御する結晶性化合物から成膜される結晶性制御層を備え、該結晶性制御層上に、複素環基を有する化合物またはキノン構造を有する化合物を含んでなる有機半導体層が成膜されていることを特徴とするものである。また、前記有機薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極のうち、いずれか一方を正孔注入性電極で構成し、残りの電極を電子注入性電極で構成したことを特徴とする有機薄膜発光トランジスタを提供するものである。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板上に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子と、ソース電極及びドレイン電極とゲート電極との間を絶縁する絶縁体層と、有機半導体層とが設けられていて、ゲート電極に印加された電圧によりソース-ドレイン間電流を制御する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層の結晶性を制御する結晶性化合物から成膜される結晶性制御層を備え、該結晶性制御層上に、複素環基を有する化合物またはキノン構造を有する化合物を含んでなる有機半導体層が成膜されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/50

FI (7)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/28 310L ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 622

F-Term (75)：

3K107AA01 ,  3K107AA02 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107CC23 ,  3K107EE03 ,  3K107HH05 ,  5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG16 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 有機薄膜トランジスタ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-345004   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-215748   Applicant：旭化成工業株式会社
• 薄膜トランジスタからなるデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-281661   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-371789   Applicant：シャープ株式会社
• 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-128861   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体素子、有機トランジスタ、発光装置及び電気機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-117011   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 有機半導体素子、その製造方法および有機半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-264499   Applicant：キヤノン株式会社

Cited by examiner (4)

• 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-371789   Applicant：シャープ株式会社
• 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-128861   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体素子、有機トランジスタ、発光装置及び電気機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-117011   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 有機半導体素子、その製造方法および有機半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-264499   Applicant：キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Organic Field-Effect Transistors Based on Benzodithiophene-Dimer Films

Cited by examiner (1)

• Organic Field-Effect Transistors Based on Benzodithiophene-Dimer Films