整流ダイオード

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006000982
Publication number (International publication number)：2007184382
Application date： Jan. 06, 2006
Publication date： Jul. 19, 2007
Summary：

【課題】分極による正及び負の両方の固定電荷を積極的に利用し、それにより形成される分極接合を利用した整流ダイオードを提供すること。【解決手段】 2種類以上の半導体を、少なくとも2個以上の半導体のヘテロ接合を形成するように3層以上積層した積層構造を有し、上記ヘテロ接合の界面に分極により発生する正及び負の固定電荷により、第一の導電型のキャリア及び第二の導電型のキャリアを同時に発生させるようにした分極接合を有する整流ダイオードにおいて、該積層構造の一方の側端に上記第一の導電型のキャリアに対してショットキー特性を有する第一の電極と、他方の側端に上記第一の導電型のキャリアに対してオーミック特性を有する第二の電極とを備えた整流ダイオードである。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

2種類以上の半導体を、少なくとも2個以上の半導体のヘテロ接合を形成するように3層以上積層した積層構造を有し、上記ヘテロ接合の界面に分極により発生する正及び負の固定電荷により、第一の導電型のキャリア及び第二の導電型のキャリアを同時に発生させるようにした分極接合を有する整流ダイオードにおいて、該積層構造の一方の側端に上記第一の導電型のキャリアに対してショットキー特性を有する第一の電極と、他方の側端に上記第一の導電型のキャリアに対してオーミック特性を有する第二の電極とを備えた整流ダイオード。

IPC (3)：

H01L 29/861 , H01L 29/872 , H01L 29/47

FI (2)：

H01L29/91 H , H01L29/48 D

F-Term (9)：

4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA06 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104GG02 , 4M104GG03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

超接合半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-237286 Applicant：富士電機株式会社
整流ダイオ-ド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-311193 Applicant：新電元工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

Polarization effects in AlGaN/GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructures

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