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J-GLOBAL ID：201203092190760793

CNT製造用の四層型触媒基体、基板炭化層付きCNT、炭化層付きCNT、CNT製法、CNT回収方法及びCNT連続製造装置

Inventor： 中山 喜萬 ,  平原 佳織 ,  筒井 俊博 ,  長坂 岳志
Applicant, Patent owner： 大陽日酸株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
Agent (1)： 三木 久巳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011030140
Publication number (International publication number)：2012166988
Application date： Feb. 15, 2011
Publication date： Sep. 06, 2012
Summary：

【課題】触媒層上に秀麗な配向CNTを合成でき、CNTを分離回収した後、基板層の再利用を実現することを目的とする。【解決手段】本発明のCNT製造用の四層型触媒基体1は、基板層2の上に耐熱性樹脂層4を形成し、前記耐熱性樹脂層4の上にAl層6を形成し、前記Al層6の上にCNT合成用の触媒層8を形成している。また、前記基板層2がベルト状に形成された基板ベルトであり、前記基板ベルトの上に前記耐熱性樹脂層4、前記Al層6及び前記触媒層8を積層して四層型触媒基体ベルトも提供できる。400°C以上、好適には500°C以上の耐熱温度を有した耐熱性樹脂層4を形成して、CNT合成時に耐熱性樹脂層4が基板層2と樹脂層8との反応を防ぎ、触媒層8上に配向CNTを合成でき、CNTを分離回収しても基板層2の表面は合成前の状態であり、基板ベルトを含む基板層2の再利用を実現できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板層の上に耐熱性樹脂層を形成し、前記耐熱性樹脂層の上にAl層を形成し、前記Al層の上にCNT合成用の触媒層を形成したことを特徴とするCNT製造用の四層型触媒基体。

IPC (2)：

C01B 31/02 ,  B01J 23/74

FI (2)：

C01B31/02 101F ,  B01J23/74

F-Term (37)：

4G146AA11 ,  4G146AD05 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146CA03 ,  4G146CA08 ,  4G146DA03 ,  4G146DA22 ,  4G146DA26 ,  4G146DA27 ,  4G146DA28 ,  4G146DA30 ,  4G146DA43 ,  4G146DA45 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BC16A ,  4G169BC16B ,  4G169BC59A ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169BC75A ,  4G169CB81 ,  4G169DA06 ,  4G169EA08 ,  4G169EC28 ,  4G169FB02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

• ナノ構造炭素材料の製造方法、それにより形成されたナノ構造炭素材料及び基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-123897   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
• ナノカーボン製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-174929   Applicant：株式会社東芝
• カーボンナノチューブの評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-059160   Applicant：国立大学法人東北大学, 国立大学法人東京大学, DOWAホールディングス株式会社
• カーボンナノチューブ電極及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-055761   Applicant：三洋電機株式会社, 国立大学法人大阪大学
• 仕切構造型カーボンナノ構造物製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-040453   Applicant：日新電機株式会社, 大陽日酸株式会社
• カーボンナノチューブの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-217573   Applicant：三星エスディアイ株式会社
• ナノチューブとカーボン層とのナノ構造複合体
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-540548   Applicant：ユニバーシティーオブウロンゴング
• ナノカーボンの精製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-375013   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, 積水化学工業株式会社
• 多層板状触媒体の製造方法と装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-322813   Applicant：バブコック日立株式会社

Cited by examiner (9)

• ナノ構造炭素材料の製造方法、それにより形成されたナノ構造炭素材料及び基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-123897   Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
• ナノカーボン製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-174929   Applicant：株式会社東芝
• カーボンナノチューブの評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-059160   Applicant：国立大学法人東北大学, 国立大学法人東京大学, DOWAホールディングス株式会社
• カーボンナノチューブ電極及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-055761   Applicant：三洋電機株式会社, 国立大学法人大阪大学
• 仕切構造型カーボンナノ構造物製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-040453   Applicant：日新電機株式会社, 大陽日酸株式会社
• カーボンナノチューブの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-217573   Applicant：三星エスディアイ株式会社
• ナノチューブとカーボン層とのナノ構造複合体
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-540548   Applicant：ユニバーシティーオブウロンゴング
• ナノカーボンの精製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-375013   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, 積水化学工業株式会社
• 多層板状触媒体の製造方法と装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-322813   Applicant：バブコック日立株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Synthesis of Aligned Few-Walled Carbon Nanotubes on Conductive Substrates

Cited by examiner (1)

• Synthesis of Aligned Few-Walled Carbon Nanotubes on Conductive Substrates