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J-GLOBAL ID：200903033447244439

カーボンナノチューブ電極及びその製造方法

Inventor： 遠藤 浩二 ,  尾浦 憲治郎 ,  片山 光浩 ,  本多 信一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
Agent (1)： 松川 克明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006055761
Publication number (International publication number)：2007230832
Application date： Mar. 02, 2006
Publication date： Sep. 13, 2007
Summary：

【課題】 少なくとも片面が導電性材料で構成された基板における導電性材料の面にカーボンナノチューブを形成するにあたり、基板に高融点で高価な導電性材料を用いなくても、簡単なプロセスで基板の導電性材料の面にカーボンナノチューブが高密度で均一に形成されたカーボンナノチューブ電極が得られるようにする。【解決手段】 少なくとも片面が導電性材料で構成された基板11における導電性材料の面に、この導電性材料よりも酸化物標準生成自由エネルギーが小さい元素の酸化物からなる保護膜12を形成し、この保護膜の上に導電性材料よりも融点の低い低融点金属とカーボンナノチューブの成長を促進する作用を有する触媒金属とを含む微粒子13を形成し、この微粒子の上にカーボンナノチューブ14を形成した。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

少なくとも片面が導電性材料で構成された基板における導電性材料の面に、この導電性材料よりも酸化物標準生成自由エネルギーが小さい元素の酸化物からなる保護膜が形成され、この保護膜の上に上記の導電性材料よりも融点の低い低融点金属を用いてカーボンナノチューブの成長を促進する作用を有する触媒金属を含む微粒子が形成され、この微粒子の上にカーボンナノチューブが形成されてなることを特徴とするカーボンナノチューブ電極。

IPC (4)：

C01B 31/02 ,  H01G 9/058 ,  H01G 9/00 ,  H01G 9/016

FI (4)：

C01B31/02 101F ,  H01G9/00 301A ,  H01G9/24 Z ,  H01G9/00 301F

F-Term (15)：

4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AD23 ,  4G146BA08 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC03 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC43 ,  4G146BC44

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• グラファイトファイバーの作成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-210161   Applicant：新技術事業団, 菊地理恵, 大木芳正
• カーボンナノチューブの合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-175498   Applicant：李鉄真, 株式会社日進ナノテック
• カーボンナノチューブ形成用基板の製造方法およびこの基板を用いたカーボンナノチューブの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-082187   Applicant：三菱電機株式会社
• カーボンナノチューブ、その製造方法、カーボンナノチューブデバイスおよび電気二重層キャパシタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-384198   Applicant：尾浦憲治郎, 三洋電機株式会社