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J-GLOBAL ID：201203093559978719

酸化膜並びにその成膜方法および補修方法

Inventor：
關 成之

About 關 成之


Applicant, Patent owner：
独立行政法人国立高等専門学校機構

About 独立行政法人国立高等専門学校機構


Agent (1)： 特許業務法人創成国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011207787
Publication number (International publication number)：2012089836
Application date： Sep. 22, 2011
Publication date： May. 10, 2012
Summary：
【課題】簡易かつ低廉な手法で電気特性が調節された酸化膜ならびにこれを成膜する方法および補修する方法を提供する。【解決手段】ジルコニウム無機塩を溶質とし、アルコールを溶媒とし、ケトン類化合物を第1助剤として原料溶液が調製される。基板に向けて原料溶液のミストが段階的に供給され、かつ、雰囲気が加熱されることにより、基板の上にジルコニア薄膜が酸化膜として成膜される。原料溶液の調製に際して第1助剤の濃度を調節した上で、当該プロセスの繰り返し回数の調節により膜厚を調節することにより、電気特性が調節された酸化膜が成膜される。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
ジルコニウム無機塩を溶質とし、アルコールを溶媒とし、ケトン類化合物を第1助剤として、当該第1助剤の濃度が調節されている原料溶液を調整し、 基板に対して前記原料溶液のミストを供給し、雰囲気の加熱により前記溶媒を蒸発させるとともに前記溶質を構成するジルコニウムを酸化させるというプロセスを繰り返すことにより、前記基板の上にジルコニア薄膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
IPC (2)：
H01L 21/316 ,  C01G 25/02
FI (2)：
H01L21/316 X ,  C01G25/02
F-Term (21)：
4G048AA02 ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AB06 ,  4G048AC04 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE08 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF07 ,  5F058BF12 ,  5F058BF19 ,  5F058BF21 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (5)
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