Pat
J-GLOBAL ID：201203098506655359
III族窒化物半導体レーザ素子、及びIII族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (3)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011011117
Publication number (International publication number)：2012156155
Application date： Jan. 21, 2011
Publication date： Aug. 16, 2012
Summary：
【課題】発振歩留まりを改善可能な構造のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】第1及び第2の割断面27、29の各々には、支持基体17の端面17c及び半導体領域19の端面19cが現れる。レーザ構造体13は第1及び第2の面13a、13bを含み、第1の面13aは第2の面13bの反対側の面である。第1及び第2の割断面27、29の各々は、第1の面13aのエッジから第2の面13bのエッジまで延在する。半導体領域19はInGaN層24を含む。半導体領域19は、InGaN層24を含むことができる。割断面29は、InGaN層24の端面24aに設けられた段差26を含む。段差26は、当該III族窒化物半導体レーザ素子11の一方の側面22aから他方の側面22bへの方向に延在する。段差26は、割断面27、29において、InGaN層24の端面24aの一部分又は全体的に形成されることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
III族窒化物半導体レーザ素子であって、
六方晶系III族窒化物半導体からなり半極性主面を有する支持基体、及び前記支持基体の前記半極性主面の上に設けられた半導体領域を含むレーザ構造体と、
当該III族窒化物半導体レーザ素子における導波路の方向を示す導波路軸の方向に延在し、前記半導体領域の上に設けられた電極と、
を備え、
前記半導体領域では、第1の窒化ガリウム系半導体層、第2の窒化ガリウム系半導体層、及び活性層が前記半極性主面の法線軸に沿って配列されており、
前記第1の窒化ガリウム系半導体層は第1導電型を示し、
前記第2の窒化ガリウム系半導体層は第2導電型を示し、
前記支持基体の前記六方晶系III族窒化物半導体のc軸は、前記導波路軸の方向に前記法線軸に対して角度ALPHAで傾斜しており、
前記レーザ構造体は、前記導波路軸に交差する第1及び第2の割断面を含み、
当該III族窒化物半導体レーザ素子のレーザ共振器は前記第1及び第2の割断面を含み、
前記第1及び第2の割断面の各々には、前記支持基体の端面及び前記半導体領域の端面が現れており、
前記レーザ構造体は第1及び第2の面を含み、前記第1の面は前記第2の面の反対側の面であり、
前記第1及び第2の割断面は、それぞれ前記第1の面のエッジから前記第2の面のエッジまで延在し、
前記半導体領域はInGaN層を含み、
前記第1の割断面は、前記InGaN層の端面に設けられた段差を含み、
前記段差は、当該III族窒化物半導体レーザ素子の一方の側面から他方の側面への方向に延在する、III族窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (7)：
5F173AA01
, 5F173AG12
, 5F173AH22
, 5F173AP24
, 5F173AP84
, 5F173AP94
, 5F173AR93
Cited by applicant (5)
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