窒化物半導体レーザ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩谷龍
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001169440
Publication number (International publication number)：2002368343
Application date： Jun. 05, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明は、劈開端面が平坦で、動作中に生じるレーザ端面の破壊を抑制でき、その結果として寿命の長い窒化物半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】活性層とキャップ層との間に応力集中抑制層を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ。

Claim (excerpt)：

活性層とキャップ層との間に、応力集中抑制層を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 5/343 610 , H01S 5/20 610

FI (2)：

H01S 5/343 610 , H01S 5/20 610

F-Term (7)：

5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073CA17 , 5F073CB08 , 5F073DA32 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

インジウムを含む窒化物半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-241417 Applicant：日本電気株式会社
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-039345 Applicant：株式会社東芝
特開平3-265122

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