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J-GLOBAL ID：200903018820894644
窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐野 静夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007144428
Publication number (International publication number)：2008300584
Application date： May. 31, 2007
Publication date： Dec. 11, 2008
Summary：
【課題】窒化物半導体層に生じる段差の発生を抑制するための構成を備える窒化物系半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】窒化物系半導体レーザ素子10は、窒化物半導体基板101の主面が(1-100)面であり、共振器端面は、主面に直交し、共振器端面を構成する劈開面において、ストライプ状導波路の少なくとも片側の脇に、窒化物半導体層表面に向けて開口した掘り込み領域である掘り込み部115を備える構成とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板の表面に積層された活性層を含む複数の窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成されるストライプ状導波路と、前記窒化物半導体基板とともに前記窒化物半導体層が劈開されて形成された共振器端面と、を備える窒化物系半導体レーザ素子であって、
前記窒化物半導体基板の主面が(1-100)面であり、
前記共振器端面は、前記主面に直交し、
前記共振器端面を構成する劈開面において、前記ストライプ状導波路の少なくとも片側の脇に、前記窒化物半導体層表面に向けて開口した掘り込み領域である掘り込み部を備えることを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (10)：
5F173AA08
, 5F173AG09
, 5F173AH22
, 5F173AK21
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP76
, 5F173AP83
, 5F173AR82
, 5F173AR93
Cited by applicant (2)
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半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-016586
Applicant：株式会社日立製作所
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半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-202347
Applicant：シャープ株式会社
Cited by examiner (7)
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