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J-GLOBAL ID：201302207715741456   Reference number：13A0851663

低エネルギーインジウム照射SiO₂の触媒効果の基板温度依存性

Author (8)： YOSHIMURA SATORU (大阪大 工) ,  IKUSE KAZUMASA (大阪大 工) ,  KIUCHI MASATO (大阪大 工) ,  KIUCHI MASATO (産業技術総合研) ,  NISHIMOTO YOSHIHIRO (大阪大 工) ,  YASUDA MAKOTO (大阪大 工) ,  BABA AKIO (大阪大 工) ,  HAMAGUCHI SATOSHI (大阪大 工)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 60th  Page： ROMBUNNO.28A-PA2-12  Publication year： Mar. 11, 2013 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *indium compound ,  *metal catalyst ,  metal ion ,  ion ,  low energy region ,  ion irradiation ,  *silicon oxide ,  *substrate temperature ,  temperature dependence ,  reaction field ,  *catalyst preparation ,  ion implantation ,  ion beam ,  *ion beam sputtering ,  alcohol ,  carbonyl compound ,  coupling reaction ,  X-ray diffraction ,  X-ray photoelectron spectrum ,  supported catalyst ,  catalytic activity
Semi thesaurus term： *indium catalyst ,  indium ion ,  low energy ion

JST classification (2)： Preparation of catalysts  (CB06110P) ,  Addition reaction,elimination reaction  (CF02030M)

Terms in the title (5)： 低エネルギー ,  インジウム ,  SiO2 ,  触媒効果 ,  温度依存性