Art

J-GLOBAL ID：201302241018049378   Reference number：13A1937022

High-Temperature Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy Study on Inductively Coupled Plasma Etching Damage for p-GaN Surfaces

p-GaN表面の誘導結合プラズマエッチング損傷についての高温等温容量過渡分光法による研究

Author (6)： AOKI Toshichika (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  WAKAYAMA Hisashi (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  KANEDA Naoki (Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN) ,  MISHIMA Tomoyoshi (Hitachi Cable, Ltd., Ibaraki, JPN) ,  NOMOTO Kazuki (Univ. Notre Dame, IN, USA) ,  SHIOJIMA Kenji (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 52  Issue： 11,Issue 2  Page： 11NH03.1-11NH03.4  Publication year： Nov. 25, 2013 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  *deep level transient spectroscopy ,  *high temperature ,  *plasma etching ,  *radiation damage ,  inductively coupled plasma ,  doping ,  magnesium ,  P-type semiconductor ,  *void(crystal) ,  current-voltage characteristic ,  Schottky barrier ,  state density ,  energy level
Semi thesaurus term： *isothermal capacitance transient spectroscopy

JST classification (2)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Reference (32)：

• J. K. Kim, J. L. Lee, J. W. Lee, H. E. Shin, Y. J. Park, and T. Kim: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 2953.
• J. S. Jang, S. J. Park, and T. Y. Seong: J. Vac. Sci. Technol. B 17 (1999) 2667.
• Y. Koide, T. Maeda, T. Kawakami, S. Fujita, T. Uemura, N. Shibata, and M. Murakami: J. Electron. Mater. 28 (1999) 341.
• T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, and M. Koike: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 3537.
• T. Sawada, Y. Ito, N. Kimura, K. Imai, K. Suzuki, and S. Sakai: Proc. Int. Workshop Nitride Semiconductors (IPAP, Tokyo, 2000) IPAP Conf. Ser. No. 1, p. 801.

Terms in the title (6)： GaN ,  誘導結合プラズマ ,  エッチング ,  損傷 ,  等温容量過渡分光法 ,  研究