Art

J-GLOBAL ID：201302264301970180   Reference number：13A1418832

Double-Polarity Selective Area Growth of GaN Metal Organic Vapor Phase Epitaxy by Using Carbon Mask Layers

炭素マスク層を用いたGaN有機金属気相エピタキシーの両極性同時成長

Author (6)： FUJITA Yohei (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TAKANO Yasushi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  INOUE Yoku (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SUMIYA Masatomo (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  FUKE Shunro (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NAKANO Takayuki (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 52  Issue： 8,Issue 2  Page： 08JB26.1-08JB26.5  Publication year： Aug. 25, 2013 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *polarity ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  MOCVD ,  *reversal ,  *semiconductor thin film ,  surface potential ,  morphology(form) ,  surface structure ,  electron microscopy ,  scanning electron microscope
Semi thesaurus term： III-VI semiconductor ,  wide band-gap semiconductor ,  polarity reversal ,  scanning electron microscopy ,  surface morphology ,  both poles

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Reference (20)：

• 1) S.-H. Wei, X. Nie, I. G. Batyrev, and S. B. Zhang: Phys. Rev. B 67 (2003) 165209.
• 2) H. Yamashita, K. Fukui, S. Misawa, and S. Yoshida: J. Appl. Phys. 50 (1979) 896.
• 3) S. Nakamura and G. Fasol: The Blue Laser Diode (Springer, New York, 1997) p. 223.
• 4) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 1417.
• 5) M. A. Khan, M. S. Shur, J. N. Kuznia, Q. Chen, J. Burm, and W. Schaff: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1083.

Terms in the title (6)： 炭素 ,  マスク層 ,  GaN ,  有機金属気相エピタキシー ,  両極性 ,  成長