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J-GLOBAL ID：201302286458936701   Reference number：13A1936935

Structure Analysis of Composition Modulation in Epitaxially-Grown III-V Semiconductor Alloys

エピタキシャル成長したIII-V族半導体合金中の組成変調の構造解析

Author (5)： ISHIMARU Manabu (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HASEGAWA Shigehiko (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAHI Hajime (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SATO Kazuhisa (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KONNO Toyohiko J. (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 52  Issue： 11,Issue 1  Page： 110120.1-110120.6  Publication year： Nov. 25, 2013 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *epitaxy ,  *modulated structure ,  quantum well ,  nanostructure ,  period(cycle) ,  anion ,  flux ,  chemical composition ,  semiconductor alloys ,  electron diffraction ,  atomic structure ,  electron microscopy ,  compound semiconductor
Semi thesaurus term： III-V semiconductor

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (40)：

• H. Asahi: Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 9 (1997) 1019.
• J. Stangl, V. Holý, and G. Bauer: Rev. Mod. Phys. 76 (2004) 725.
• K. Y. Cheng, K. C. Hsieh, and J. N. Baillargeon: Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 2892.
• A. Ponchet, A. Rocher, J.-Y. Emery, C. Starck, and L. Goldstein: J. Appl. Phys. 74 (1993) 3778.
• R. D. Twesten, D. M. Follstaedt, S. R. Lee, E. D. Jones, J. L. Reno, J. Mirecki Millunchick, A. G. Norman, S. P. Ahrenkiel, and A. Mascarenhas: Phys. Rev. B 60 (1999) 13619.

Terms in the title (6)： エピタキシャル成長 ,  III-V族半導体 ,  合金 ,  組成 ,  変調 ,  構造解析