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J-GLOBAL ID：201303001293102133

赤外線サーマルディテクタ及びその製造方法

Inventor： 朴 海 錫 ,  南 聖 ▲げん▼ ,  申 昶 均 ,  金 ▲てい▼ 祐
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 八田国際特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012225216
Publication number (International publication number)：2013083651
Application date： Oct. 10, 2012
Publication date： May. 09, 2013
Summary：

【課題】赤外線サーマルディテクタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】赤外線サーマルディテクタ10は、基板20と、検知部30と、サーマルレッグ50とを含む。検知部30は、基板20から離隔され、入射される赤外線光を、局部的な表面プラズモン共鳴を介して吸収し、吸収された赤外線による温度変化によって、抵抗値が変わるように設けられサーマルレッグ50は、検知部30からの信号を基板20に伝達する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板と、 前記基板から離隔されており、入射される赤外線光を、局部的な表面プラズモン共鳴を介して吸収し、吸収された赤外線による温度変化によって、抵抗値が変わるように設けられた検知部と、 前記検知部からの信号を前記基板に伝達するサーマルレッグと、を含む赤外線サーマルディテクタ。

IPC (3)：

G01J 1/02 ,  G01J 5/20 ,  H01L 37/00

FI (4)：

G01J1/02 C ,  G01J1/02 R ,  G01J5/20 ,  H01L37/00

F-Term (10)：

2G065AA11 ,  2G065AB02 ,  2G065BA12 ,  2G065BA14 ,  2G065BA34 ,  2G065DA18 ,  2G065DA20 ,  2G066BA09 ,  2G066BA55 ,  2G066CA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体光素子および半導体光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-250247   Applicant：三菱電機株式会社
• 放射温度測定装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-034975   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 熱型赤外線検出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-042222   Applicant：日本電気株式会社
• 縮小された活性領域を有する赤外放射検出器
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-521378   Applicant：ロッキードマーティンアイアールイメージングシステムズインコーポレーテッド
• 赤外線検出システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-051002   Applicant：パナソニック電工株式会社