電気化学デバイス用のダイヤモンド電極

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：辻居幸一 , 熊倉禎男 , 弟子丸健 , 井野砂里 , 松下満 , 倉澤伊知郎 , 渡邊誠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2013527609
Publication number (International publication number)：2013543053
Application date： Sep. 08, 2011
Publication date： Nov. 28, 2013
Summary：

バルク硼素ドープダイヤモンド電極であって、バルク硼素ドープダイヤモンド電極の表面に設けられた複数の溝を有するバルク硼素ドープダイヤモンド電極。バルク硼素ドープダイヤモンド電極を形成するには、化学気相成長技術を利用してバルク硼素ドープダイヤモンド電極を成長させ、複数の溝をバルク硼素ドープダイヤモンド電極の表面に形成する。一構成例によれば、複数の溝を形成するには、炭素溶剤金属のパターンをバルク硼素ドープダイヤモンド電極の表面上に形成して加熱し、それにより炭素溶剤金属が下に位置するダイヤモンドを溶かしてバルク硼素ドープ電極の表面に溝を形成する。本発明は又、1つ又は2つ以上の溝付きバルク硼素ドープダイヤモンド電極を有する電気化学セルに関する。1つの又は各バルク硼素ドープダイヤモンド電極は、溝が電解液の流れ方向に実質的に平行な方向に整列するよう電気化学デバイス内に差し向けられる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

バルク硼素ドープダイヤモンド(BDD)電極であって、前記バルク硼素ドープダイヤモンド電極の表面に設けられた複数の溝を有し、前記複数の溝は、パターンをなして配列され、各溝は、連続チャネルを形成し、各溝は、1μm〜1mmの幅及び1μm〜1mmの深さを有する、バルク硼素ドープダイヤモンド電極。

IPC (3)：

C25B 11/12 , C01B 31/06 , C23C 16/27

FI (3)：

C25B11/12 , C01B31/06 Z , C23C16/27

F-Term (15)：

4G146AA04 , 4G146AB05 , 4G146AD22 , 4G146AD23 , 4G146CB08 , 4K011AA01 , 4K011AA13 , 4K011AA16 , 4K011CA04 , 4K011DA01 , 4K030BA26 , 4K030BA28 , 4K030DA08 , 4K030LA01 , 4K030LA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ダイヤモンド電極
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2009-535867 Applicant：エレメントシックスリミテッド
高一様性のホウ素ドープト単結晶ダイヤモンド材料
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2009-546058 Applicant：エレメントシックスリミテッド
多孔性ダイヤモンド層及び多孔性ダイヤモンド粒子の製造方法及びそれらを使用する電気化学用電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-378657 Applicant：国立大学法人信州大学, ペルメレック電極株式会社

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