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J-GLOBAL ID：201003086286500569

ダイヤモンド表面のプラズマエッチング

Inventor： リー、チー - レオン ,  グー、エルダン ,  スカーズブルック、ジェフリー アラン ,  フリエル、イアン ,  ドーソン、マーティン デイビッド
Applicant, Patent owner： エレメント シックス リミテッド
Agent (6)： 特許業務法人浅村特許事務所 ,  浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  浅野 裕一郎 ,  安藤 克則 ,  上村 陽一郎
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009546059
Publication number (International publication number)：2010516601
Application date： Jan. 22, 2008
Publication date： May. 20, 2010
Summary：

本発明は、元のダイヤモンド表面を準備するステップと、元のダイヤモンド表面にプラズマエッチングを施して元の表面から材料を少なくとも2nm除去し、プラズマエッチングされた表面を作製するステップとを含み、材料の最大深さが除去されたエッチングされた表面の位置におけるプラズマエッチングされた表面の粗度Rqが以下の条件:プラズマエッチングされた表面のRqは元の表面の粗度Rqの1.5倍未満である、又はプラズマエッチングされた表面のRqは1nm未満である、の少なくとも1つを満たす、ダイヤモンド表面を作製する方法に関する。

Claim (excerpt)：

元のダイヤモンド表面を準備するステップと、元のダイヤモンド表面にプラズマエッチングを施して元の表面から材料を少なくとも2nm除去し、プラズマエッチングされた表面を作製するステップとを含み、材料の最大深さが除去されたエッチングされた表面の位置におけるプラズマエッチングされた表面の粗度Rqが以下の条件: a.プラズマエッチングされた表面のRqは元の表面の粗度Rqの1.5倍未満であること、又は b.プラズマエッチングされた表面のRqは1nm未満であること、 の少なくとも一方を満たす、ダイヤモンド表面を作製する方法。

IPC (3)：

C30B 29/04 ,  C30B 33/12 ,  C04B 41/91

FI (3)：

C30B29/04 V ,  C30B33/12 ,  C04B41/91 B

F-Term (3)：

4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077FG02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 光学品質のダイヤモンド材料
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-553030   Applicant：エレメントシックスリミテッド, ヘルマンフィリップゴットフリート, ジェフリーアランスカーズブルック, ダニエルジェイムズトウィッチェン, エフェルトピエテルホウマン, ウィルヘルムスゲルトルーダマリアネリセン, アンドリュージョンホワイトヘッド, クライブエドワードホール, フィリップモーリスマルティノー
• CVDにより造られた単結晶ダイヤモンド
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-510741   Applicant：エレメントシックス(プロプライエタリイ)リミテッド
• 厚い単結晶ダイヤモンド層、それを造る方法及びその層から形成された宝石の原石
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-510742   Applicant：エレメントシックス(プロプライエタリイ)リミテッド
• 合成ダイヤモンドのアブレーション法と得られたダイヤモンド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-137645   Applicant：サンゴバン/ノートンインダストリアルセラミックスコーポレイション

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Fabrication and characterization of doamond micro-optics