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J-GLOBAL ID：201303021399692950

空中配線の製造方法

Inventor： 星野 隆行 ,  松井 真二 ,  近藤 和茂
Applicant, Patent owner： エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社
Agent (3)： 久原 健太郎 ,  内野 則彰 ,  木村 信行
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2005502830
Patent number：4704911
Application date： Feb. 16, 2004
Claim (excerpt)：

【請求項1】 コンピュータパターン描画装置にあらかじめ記憶された3次元位置データとビームの照射位置、照射方向、照射時間に基づきビームを照射し、ビーム励起反応を利用するとともに、第1の反応ソースガスに更に異なる第2の反応ソースガスを同時供給した混合ガスを用いて、CVDプロセスにより空間的に自在な空中配線を作製し、該空中配線は、前記空中配線の作製途中に前記反応ソースガスの供給を変更することにより、金属、半導体または絶縁体の空中配線を形成することを特徴とする空中配線の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/285 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  C23C 16/48 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 N ,  H01L 27/04 D ,  C23C 16/48

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 微小立体構造物、その製造方法及びその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-286337   Applicant：科学技術振興事業団
• 特表平5-504377
  
• 半導体装置及びその製造方法と電子回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-271696   Applicant：株式会社日立製作所
• 特表平5-504377
  
• CVDによる微細三次元構造体の斜め下方への成長方法とその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-118541   Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社
• 配線修正装置および方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-031590   Applicant：シャープ株式会社
• 配線修正方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-084690   Applicant：株式会社日立製作所