単結晶育成装置

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：福田賢三 , 福田伸一 , 福田武通 , 加藤恭介
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2005517756
Patent number：4849597
Application date： Feb. 04, 2005
Claim (excerpt)：

【請求項1】回転楕円面鏡と、この回転楕円面鏡の一方の焦点に配置された加熱源と、回転楕円面鏡の他方の焦点に配置された原料棒および種結晶棒と、この原料棒および種結晶棒を囲繞する石英管と、前記原料棒および種結晶棒をそれぞれ支持する結晶駆動軸を回転および昇降させる軸駆動手段とを有し、前記加熱源の赤外線を回転楕円面鏡で反射して他方の焦点に配置された原料棒および種結晶棒に照射して単結晶を育成する単結晶育成装置において、前記一方と他方の2焦点間距離を、41.4〜67.0mmとし、かつ、前記回転楕円面鏡の短径長径比を、0.90〜0.95とし、前記回転楕円面鏡を、長径を57.7〜80mm、短径を52〜76mmとした小型の双楕円型とし、前記回転楕円面鏡の長軸方向端部に、前記加熱源を前記回転楕円面鏡の内方空間に挿入するための加熱源挿入孔を形成し、前記加熱源挿入孔の内側の隙間部分から前記回転楕円面鏡の内方空間に前記回転楕円面鏡および前記加熱源冷却用の冷却気体を1.2〜2.3m3/minの流量で導入する空冷部を設けるとともに、前記回転楕円面鏡の短軸方向中央上下端部に、前記石英管の導入孔を設け、前記導入孔における前記回転楕円面鏡と前記石英管との間にも隙間部分を形成し、前記空冷部から前記回転楕円面鏡内に導入された冷却気体が、前記回転楕円面鏡の内方空間で最初に前記加熱源表面を冷却し、次いで前記回転楕円面鏡の反射面に沿って流れて前記反射面を冷却し、一部が直接前記石英管に吹付けられ、前記石英管を左右両側から均等に冷却する乱流となり、前記導入孔における前記回転楕円面鏡と前記石英管との間の隙間部分から前記回転楕円面鏡内空間に滞留および対流する温度上昇したエアーが強制排気されることで、前記回転楕円面鏡の内面および前記回転楕円面鏡の内方空間に配置された前記加熱源を冷却するように構成し、前記加熱源の総電力が1,100〜1,500Wに設定されたときに、2,060°C以上の加熱性能を達成可能になるようにした、ことを特徴とする単結晶育成装置。

IPC (1)：

C30B 13/24 ( 200 6.01)

FI (1)：

C30B 13/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特公昭49-036523
特公昭50-029405
浮遊帯域溶融装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-243736 Applicant：株式会社クリスタルシステム

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