ニッケル内包フラーレンの製造方法、及び、製造装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011174235
Publication number (International publication number)：2013035725
Application date： Aug. 09, 2011
Publication date： Feb. 21, 2013
Summary：

【課題】スピントロニクスデバイス、単分子磁気デバイス等への応用が期待されるニッケル内包フラーレンは、鉄やニッケルなどに代表される遷移金属がフラーレンとの間で効率の良い電子移動が起こらず金属原子が生成途中でフラーレンから脱離するために、ニッケル内包フラーレンの合成は困難とされていた。【解決手段】るつぼに入れたニッケル金属に対し電子ビームを照射し、蒸発したニッケル原子に電子を衝突させ、電子とニッケルイオンからなるプラズマを生成し、プラズマとフラーレンの反応により堆積基板上にニッケル内包フラーレンを含む堆積物を形成した。電子ビームのエミッション電流を制御することにより、ニッケル内包フラーレンの高効率合成が可能になった。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

真空容器中で、るつぼに入れたニッケル金属に対し電子ビームを照射することにより前記ニッケル金属を加熱、蒸発させ、同時に、蒸発したニッケル原子に電子を衝突させることで、ニッケルイオンと電子からなるニッケルプラズマを生成し、前記るつぼと対向する位置に堆積基板を配置し、前記堆積基板に負のバイアス電圧を印加することにより前記ニッケルイオンを前記堆積基板に向けて加速し、同時に、前記堆積基板に向けてフラーレン分子からなるフラーレン蒸気を噴射することにより、前記ニッケルイオンとフラーレン分子、又は、前記フラーレン分子と前記電子が付着したフラーレンイオンの反応によりニッケル内包フラーレンを生成するニッケル内包フラーレンの製造方法。

IPC (3)：

C01B 31/02 , B82Y 30/00 , B82Y 40/00

FI (3)：

C01B31/02 101F , B82Y30/00 , B82Y40/00

F-Term (10)：

4G146AA09 , 4G146AA13 , 4G146AD28 , 4G146BA04 , 4G146BC10 , 4G146BC15 , 4G146BC27 , 4G146BC32B , 4G146BC33B , 4G146BC44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

抵抗スイッチングNiO層を含むメモリ素子の製造方法、およびそのデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-286836 Applicant：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, ウニヴェルシテ・ドゥ・シュド・トゥーロン-ヴァール
金属内包カーボンナノチューブの製造方法及びそれにより製造された金属内包カーボンナノチューブ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-004513 Applicant：国立大学法人三重大学
ニッケル化合物内包炭素複合体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-089190 Applicant：大阪瓦斯株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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