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J-GLOBAL ID：201303025695275847

窒化物半導体レーザ素子

Inventor： 小島 一信 ,  川上 養一 ,  船戸 充 ,  長濱 慎一 ,  枡井 真吾
Applicant, Patent owner： 国立大学法人京都大学 ,  日亜化学工業株式会社
Agent (2)： 小野 由己男 ,  堀川 かおり
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2007239326
Publication number (International publication number)：2009071127
Patent number：5286723
Application date： Sep. 14, 2007
Publication date： Apr. 02, 2009
Claim (excerpt)：

【請求項1】 AlXGa1-XN(0<x≦1)からなる層を含む窒化物半導体層と、 該窒化物半導体層上に形成されたInyGa1-yN(0<y≦1)からなる層を含む活性層とを備える窒化物半導体レーザ素子であって、 前記窒化物半導体層の表面は、C面{0001}とのなす角度θが30°以上である面を含み、かつ 前記窒化物半導体層及び活性層が、 x>(4.5855-0.08047θ+0.00041867θ2)y+(-0.02198+0.00185θ-0.000008861θ2) (b) を満足する組成であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (1)：

H01S 5/343 ( 200 6.01)

FI (1)：

H01S 5/343 610

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化物半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-006300   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-038138   Applicant：富士通株式会社
• 発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-213516   Applicant：富士通株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-272321   Applicant：株式会社日立製作所