グラフェン薄膜の製造方法及びグラフェン薄膜

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：加藤久 , 久保山隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012042115
Publication number (International publication number)：2013177273
Application date： Feb. 28, 2012
Publication date： Sep. 09, 2013
Summary：

【課題】均質な二層グラフェンドメインを含むグラフェン薄膜を再現性よく製造することができるグラフェン薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】単結晶基板の表面にエピタキシャルな金属膜を成膜した基板に、炭素含有分子を含有する原料ガスを供給して化学気相成長(CVD)により、前記エピタキシャルな金属膜の表面にグラフェン薄膜を成長させる工程を含むグラフェン薄膜の製造方法において、二層グラフェンの核を生成する条件でガス供給を行う第1の原料ガス供給工程と、生成した前記二層グラフェンの核から二層グラフェンを成長させる条件でガス供給を行う第2の原料ガス供給工程と、を含むことを特徴とするグラフェン薄膜の製造方法。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

単結晶基板の表面にエピタキシャルな金属膜を成膜した基板に、炭素含有分子を含有する原料ガスを供給して化学気相成長(CVD)により、前記エピタキシャルな金属膜の表面にグラフェン薄膜を成長させる工程を含むグラフェン薄膜の製造方法において、二層グラフェンの核を生成する条件でガス供給を行う第1の原料ガス供給工程と、生成した前記二層グラフェンの核から二層グラフェンを成長させる条件でガス供給を行う第2の原料ガス供給工程と、を含むことを特徴とするグラフェン薄膜の製造方法。

IPC (1)：

C01B 31/02

FI (1)：

C01B31/02 101Z

F-Term (20)：

4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AB10 , 4G146AC15B , 4G146AC16B , 4G146AD21 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB23 , 4G146BC01 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC25 , 4G146BC29 , 4G146BC31A , 4G146BC31B , 4G146BC34A , 4G146BC34B , 4G146BC38A , 4G146BC43

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

大規模グラフェンシート、それを組み込んだ物、組成物、方法および装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2013-524223 Applicant：ザトラスティーズオブザユニバーシティオブペンシルバニア
アルキンによって補助されたカーボンナノ構造物の成長
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2012-516062 Applicant：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー, ユニバーシティーオブミシガン,ザボードオブリージェンツアクティングフォーアンドオンビハーフオブザシー/オーテクノロジーマネージメントオフィス, ウッズホールオーシャノグラフィックインスティテュート
ダイヤモンド被覆物品とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-195394 Applicant：日本特殊陶業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Large-Scale Synthesis of Bi-layer Graphene in Strongly Coupled Stacking Order

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