Pat
J-GLOBAL ID:201303086684961101
大規模グラフェンシート、それを組み込んだ物、組成物、方法および装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
矢口 太郎
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2013524223
Publication number (International publication number):2013535407
Application date: Aug. 11, 2011
Publication date: Sep. 12, 2013
Summary:
【解決手段】 本発明が提供するのは大規模で均一的なグラフェン層を常圧で化学蒸着(Chemical Vapor Deposition(CVD))を使用して平坦化された基板上に成長させるための方法である。上記方法にしたがって生成されたグラフェンは容積95%を超える単層にすることもできる。本発明の工程により調製された電界効果トランジスタは室温正孔移動度を有し、商業的に入手可能な銅箔基板上で作製されたサンプルを測定したときの室温正孔移動度の2〜5倍大規模である。 【選択図】 図1
Claim (excerpt):
グラフェン材を作製する方法であって、
平坦化された金属基板上にグラフェンシートを成長させる工程
を有する方法。
IPC (5):
C01B 31/02
, H01L 51/05
, H01L 51/30
, H01L 51/40
, H01L 29/786
FI (5):
C01B31/02 101Z
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 250E
, H01L29/28 310E
, H01L29/78 618B
F-Term (29):
4G146AA01
, 4G146AB07
, 4G146AC01A
, 4G146AC01B
, 4G146AC16A
, 4G146AC16B
, 4G146AC19A
, 4G146AC19B
, 4G146AD28
, 4G146AD30
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB23
, 4G146BC07
, 4G146BC09
, 4G146BC23
, 4G146BC25
, 4G146BC26
, 4G146BC32A
, 4G146BC33A
, 4G146BC33B
, 4G146BC34A
, 4G146BC34B
, 4G146CA02
, 5F110DD05
, 5F110EE01
, 5F110GG01
, 5F110GG44
, 5F110HK01
Patent cited by the Patent:
Article cited by the Patent: