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J-GLOBAL ID：201303036981873494

エアギャップを備えるグラフェントランジスタ、それを備えるハイブリッドトランジスタ及びその製造方法

Inventor：
鄭 現鍾

About 鄭 現鍾

, 
鄭 佑仁

About 鄭 佑仁

, 
金 奇南

About 金 奇南


Applicant, Patent owner：
三星電子株式会社

About 三星電子株式会社


Agent (2)： 渡邊 隆 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012233438
Publication number (International publication number)：2013098553
Application date： Oct. 23, 2012
Publication date： May. 20, 2013
Summary：
【課題】エアギャップを備えるグラフェントランジスタ、それを備えるハイブリッドトランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上のゲート電極と、ゲート電極上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のグラフェンチャネルと、グラフェンチャネル上で互いに離隔しているソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極の上面を覆い、グラフェンチャネル上でソース電極とドレイン電極との間にエアギャップを形成するカバーと、を備えるグラフェントランジスタ。前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記グラフェンチャネルの長さが、10nm〜100nmである。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上のゲート電極と、 前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上のグラフェンチャネルと、 前記グラフェンチャネル上で互いに離隔しているソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極及びドレイン電極の上面を覆い、前記グラフェンチャネル上で前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にエアギャップを形成するカバーと、を備えるグラフェントランジスタ。
IPC (7)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283
FI (12)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 390 ,  H01L29/28 310E ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/283 C
F-Term (42)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104FF11 ,  4M104FF40 ,  4M104GG08 ,  4M104HH20 ,  5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110BB11 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110EE24 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG44 ,  5F110HM04 ,  5F110HM17 ,  5F110NN12 ,  5F110NN15 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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