ヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：志賀正武 , 増井裕士
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012083247
Publication number (International publication number)：2013214576
Application date： Mar. 30, 2012
Publication date： Oct. 17, 2013
Summary：

【課題】フラックスを用いることなく常圧条件下において強固にろう付けされてなるヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の他方の面側に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、前記ヒートシンクの接合面及び前記パワーモジュール用基板の接合面が、それぞれアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、前記ヒートシンクと前記パワーモジュール用基板との接合界面には、Al-Si共晶組織にMgを含むMg含有化合物52(MgOを除く)が分散した接合層50が形成されており、接合層50の厚さtが5μm以上80μm以下の範囲内とされている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の他方の面側に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、前記ヒートシンクの接合面及び前記パワーモジュール用基板の接合面が、それぞれアルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、前記ヒートシンクと前記パワーモジュール用基板との接合界面には、Al-Si共晶組織にMgを含むMg含有化合物(MgOを除く)が分散した接合層が形成されており、前記接合層の厚さが5μm以上80μm以下の範囲内とされていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。

IPC (3)：

H01L 23/36 , H01L 23/373 , H05K 7/20

FI (3)：

H01L23/36 D , H01L23/36 M , H05K7/20 E

F-Term (17)：

5E322AA01 , 5E322AB03 , 5E322FA01 , 5E322FA04 , 5F136BA30 , 5F136BB04 , 5F136BC02 , 5F136CB06 , 5F136DA27 , 5F136EA03 , 5F136EA14 , 5F136FA02 , 5F136FA03 , 5F136FA14 , 5F136FA16 , 5F136FA18 , 5F136GA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ヒートシンク付きパワーモジュール用基板及びパワーモジュール、並びに、ヒートシンク付きパワーモジュール用基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-066368 Applicant：三菱マテリアル株式会社
ヒートシンク付セラミック回路基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-221477 Applicant：三菱マテリアル株式会社
アルミニウム材のフラックスレスろう付け方法およびフラックスレスろう付け用アルミニウムクラッド材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-101326 Applicant：三菱アルミニウム株式会社

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