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J-GLOBAL ID:201303046411188874
リフトオフ装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2012043304
Publication number (International publication number):2013179237
Application date: Feb. 29, 2012
Publication date: Sep. 09, 2013
Summary:
【課題】エピタキシー基板の表面にバファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を接合金属層を介して移設基板に接合した複合基板からエピタキシー基板を確実に剥離することができるリフトオフ装置を提供する。【解決手段】リフトオフ装置は、複合基板カセット載置手段4a、4bに載置された複合基板収容カセット40に収容されている複合基板を搬出手段6によって保持手段72に搬送し、保持手段72に複合基板を吸引保持した状態でレーザー光線照射手段を作動して複合基板のエピタキシー基板側からバファー層にレーザー光線を照射してバファー層を破壊し、その後エピタキシー基板剥離手段9を作動してエピタキシー基板を光デバイス層から剥離する。【選択図】図2
Claim (excerpt):
エピタキシー基板の表面にバファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を接合金属層を介して移設基板に接合した複合基板からエピタキシー基板を剥離するリフトオフ装置において、
複合基板を収容した複合基板収容カセットが載置される複合基板カセット載置手段と、該複合基板カセット載置手段に載置された複合基板収容カセットに収容された複合基板を搬出する搬出手段と、該搬出手段によって搬出された複合基板を保持する保持手段と、該保持手段に移設基板側が保持された複合基板のエピタキシー基板側からバファー層にレーザー光線を照射してバファー層を破壊するレーザー光線照射手段と、バファー層が破壊された複合基板からエピタキシー基板を剥離するエピタキシー基板剥離手段と、剥離されたエピタキシー基板を収容するエピタキシー基板収容カセットが載置されるエピタキシー基板カセット載置手段と、該搬出手段と該保持手段と該レーザー光線照射手段と該エピタキシー基板剥離手段を制御する制御手段と、該制御手段に複合基板の加工条件を入力する操作手段と、を具備している、
ことを特徴とするリフトオフ装置。
IPC (1):
FI (1):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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レーザリフトオフ技術を用いて発光ダイオードを製造する方法及びヒータを有するレーザリフトオフ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-005542
Applicant:ソウルオプトデバイスカンパニーリミテッド
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ウエ-ハ剥離装置及び方法並びにこれを用いたウエ-ハ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-159872
Applicant:株式会社エンヤシステム
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加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2010-047974
Applicant:株式会社ディスコ
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バーコードリーダ付半導体製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-103520
Applicant:株式会社東京精密
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レーザー加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-201564
Applicant:株式会社ディスコ
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レーザー加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-220995
Applicant:株式会社ディスコ
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