不揮発性抵抗変化素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (17)：蔵田昌俊 , 高倉成男 , 河野哲 , 中村誠 , 福原淑弘 , 峰隆司 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 幸長保次郎 , 河野直樹 , 砂川克 , 井関守三 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子 , 竹内将訓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011124541
Publication number (International publication number)：2012253192
Application date： Jun. 02, 2011
Publication date： Dec. 20, 2012
Summary：

【課題】信頼性の高い整流機能を有する不揮発性抵抗変化素子を提供する。【解決手段】Ag,Ni,Co,Al,Zn,Ti,Cuのうち少なくともいずれかを含む上部電極1と、下部電極2と、上部電極1と下部電極2とに挟まれた抵抗変化層3と、下部電極2と抵抗変化層3との間に配置され、抵抗変化層3を構成する元素と、Ag,Ni,Coのうち少なくともいずれかの元素とを含む整流機能層4を備える。上部電極1と下部電極2間に印加する電圧に応じて、上部電極1と下部電極2間の電気抵抗が可逆的に変化する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Ag,Ni,Co,Al,Zn,Ti,Cuのうち少なくともいずれかを含む第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極とに挟まれた半導体層と、前記第2電極と前記半導体層との間に配置され、前記半導体層を構成する元素と、Ag,Ni,Coのうち少なくともいずれかの元素とを含む第1の層とを具備し、前記第1電極と前記第2電極間に印加する電圧に応じて前記第1電極と前記第2電極間の電気抵抗が可逆的に変化することを特徴とする不揮発性抵抗変化素子。

IPC (3)：

H01L 27/105 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

F-Term (8)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-178654 Applicant：三星電子株式会社
不揮発性メモリ装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-198229 Applicant：株式会社東芝
n+界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-125946 Applicant：三星電子株式会社

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