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J-GLOBAL ID：200903077231337782
可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007178654
Publication number (International publication number)：2008016854
Application date： Jul. 06, 2007
Publication date： Jan. 24, 2008
Summary：
【課題】スイッチング素子を形成させずに動作可能な、可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】不揮発性メモリ素子は、Ti、Ta、TaNまたはTiNのうちいずれか一つである下部電極21と、下部電極21上に形成され、下部電極の間にショットキー障壁が形成され、しきいスイッチング特性を有するp型酸化物であるNi酸化物またはCu酸化物で形成されたバッファ層22と、バッファ層22上にp型酸化物であるNi酸化物で形成された可変抵抗物質層23と、可変抵抗物質層23上に形成されたオームコンタクトをなす上部電極24とを備えている。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、
下部電極と、
前記下部電極上に形成され、前記下部電極との界面にショットキー障壁を形成するバッファ層と、
前記バッファ層上に形成され、可変抵抗特性を有する可変抵抗物質層と、
前記可変抵抗物質層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子。
IPC (3)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083JA21
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA42
Cited by examiner (5)
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