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J-GLOBAL ID:201303074520483006
分光測定方法、散乱型近接場顕微鏡、及びチップ増強ラマンプローブの製造方法
Inventor:
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,
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Applicant, Patent owner:
Agent (2):
家入 健
, 岩瀬 康弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2012281268
Publication number (International publication number):2013057689
Application date: Dec. 25, 2012
Publication date: Mar. 28, 2013
Summary:
【課題】増強度の高い分光測定方法、散乱型近接場顕微鏡、及びチップ増強ラマンプローブの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の一態様にかかるチップ増強ラマンプローブの製造方法は、シリコン製のプローブを用意するステップと、プローブを酸化させるステップと、酸化したプローブの上に金属膜を形成するステップと、を備え、プローブを酸化させるステップでは、金属膜が形成されたプローブのプラズモン共鳴波長と、励起レーザの波長とが等しくなる厚さまでシリコンを酸化するものである。【選択図】図1
Claim (excerpt):
散乱型近接場顕微鏡にてサンプルを分光測定する分光測定方法であって、
チップ増強ラマンプローブを用意するステップと、
前記サンプルに励起レーザ光を入射させるステップと、
前記チップ増強ラマンプローブのプローブを前記サンプルの表面に近接させるステップと、
前記プローブが近接した状態のサンプルに前記励起レーザ光を入射させることによって発生するラマン散乱光を分光して、測定するステップと、を備え、
前記チップ増強ラマンプローブは、
少なくともSiO2層と金属からなる表面層との積層構造を有し、
前記SiO2層が、前記プローブのプラズモン共鳴波長と前記励起レーザ光の波長とが等しくなる厚さになっている、分光測定方法。
IPC (1):
FI (2):
G01Q60/22 101
, G01Q60/22 111
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
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特開平3-075501
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散乱型近接場顕微鏡
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-267418
Applicant:河田聡
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散乱型近接場光プローブ製造方法および散乱型近接場光プローブ製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-146695
Applicant:株式会社島津製作所
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Cited by examiner (3)
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チップ増強ラマンプローブ及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-332046
Applicant:独立行政法人理化学研究所
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特開平3-075501
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散乱型近接場顕微鏡
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-267418
Applicant:河田聡
Article cited by the Patent:
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