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J-GLOBAL ID：201303088179507660

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 大植 栄司 ,  鷲尾 勝由 ,  島本 裕巳 ,  小田 克矢 ,  三浦 真
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立ディスプレイデバイシズ
Agent (3)： 筒井 大和 ,  作田 康夫 ,  筒井 大和
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2003190752
Publication number (International publication number)：2005026483
Patent number：4886964
Application date： Jul. 03, 2003
Publication date： Jan. 27, 2005
Claim (excerpt)：

【請求項1】 エミッタ領域と、コレクタ領域と、前記エミッタ領域と前記コレクタ領域との間に位置するベース領域と、開口部を有する絶縁膜と、前記ベース領域と電気的に接続されるよう構成されたベース引出し領域とを具備して成り、 前記ベース領域は単結晶ベース層を含んで成り、前記ベース引出し領域の下面は前記絶縁膜と接し、前記単結晶ベース層は前記絶縁膜の前記開口部内に形成され、前記エミッタ領域は高濃度単結晶エミッタ層を含んで成り、前記単結晶ベース層の幅が前記コレクタ領域の幅より短く、 前記ベース引出し領域は、第2導電型の単結晶半導体領域と第2導電型の多結晶半導体領域とを具備して成り、前記単結晶半導体領域は、前記ベース領域上に形成され、前記多結晶半導体領域は、前記絶縁膜上に形成されており、 前記単結晶半導体領域の膜厚は、前記エミッタ領域側の膜厚よりも、前記多結晶半導体領域側の膜厚の方が大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/331 ( 200 6.01) ,  H01L 29/732 ( 200 6.01) ,  H01L 29/737 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 29/72 P ,  H01L 29/72 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-017249   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開平4-114434
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-296707   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置並びにそれを使用した電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-065157   Applicant：アルプス電気株式会社
• ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-365037   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-154127   Applicant：三菱電機株式会社