酸化ガリウム単結晶、及び、酸化ガリウム単結晶基板

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012098402
Publication number (International publication number)：2013227160
Application date： Apr. 24, 2012
Publication date： Nov. 07, 2013
Summary：

【課題】原料の無駄を大幅に改善することができる酸化ガリウム単結晶、及び、酸化ガリウム単結晶基板を提供する。【解決手段】酸化ガリウム単結晶13は、双晶14を1〜70%含んでいる。酸化ガリウム単結晶13は、EFG法によって製造されている。双晶14は、その引上げ方向に沿って帯状に形成されている。酸化ガリウム単結晶基板は、酸化ガリウム単結晶13からなる。酸化ガリウム単結晶基板は、表面にCMP加工が施され、結晶面ごとの研磨加工レート差によって、幅が3〜10μmの範囲で揃った凹凸を持ったストライプ状に形成されている。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

双晶を1〜70%含む、ことを特徴とする酸化ガリウム単結晶。

IPC (2)：

C30B 29/16 , C30B 15/34

FI (2)：

C30B29/16 , C30B15/34

F-Term (6)：

4G077AA02 , 4G077BB10 , 4G077CF03 , 4G077FG17 , 4G077HA12 , 4G077PK03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

β-Ga2O3結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-249890 Applicant：株式会社タムラ製作所, 株式会社光波
β-Ga2O3系単結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-249891 Applicant：株式会社タムラ製作所, 株式会社光波
β-Ga2O3系単結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-224243 Applicant：株式会社タムラ製作所, 株式会社光波

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Cited by examiner (7)

酸化ガリウム単結晶の製造方法及び製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-056482 Applicant：並木精密宝石株式会社
β-Ga2O3結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-249890 Applicant：株式会社タムラ製作所, 株式会社光波
β-Ga2O3系単結晶の成長方法
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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

Cited by examiner (2)

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