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J-GLOBAL ID:201303097176197031

イオンビーム照射を用いた糸状菌の変異株作出方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  長沼 暉夫 ,  池田 幸弘
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2008042989
Publication number (International publication number):2009195205
Patent number:5170397
Application date: Feb. 25, 2008
Publication date: Sep. 03, 2009
Claim (excerpt):
【請求項1】 糸状菌の変異株を作出する方法において、 (a)糸状菌ゲノム中の機能を破壊しようとする目的遺伝子内にマーカー遺伝子を挿入させる工程、 (b)マーカー遺伝子を挿入した当該糸状菌にイオンビームを照射し、変異を誘発する工程、 (c)イオンビーム照射後の糸状菌の中から、変異によってマーカー遺伝子の機能が欠損した株をスクリーニングする工程、 (d)スクリーニングされた株において、マーカー遺伝子を含む外来遺伝子全体がイオンビーム照射によって欠損し、かつ目的遺伝子の機能が破壊されていることを確認する工程、 を含む、糸状菌ゲノム中の目的遺伝子の機能を破壊することで有用な変異株を作出する方法。
IPC (2):
C12N 1/15 ( 200 6.01) ,  C12N 15/09 ( 200 6.01)
FI (2):
C12N 1/15 ZNA ,  C12N 15/00 A
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 不精臭低生産性麹菌
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2006-051520   Applicant:キッコーマン株式会社
Cited by examiner (1)
  • 不精臭低生産性麹菌
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2006-051520   Applicant:キッコーマン株式会社
Article cited by the Patent:
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