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J-GLOBAL ID：201402207189332640   Reference number：14A0058375

単結晶SiC高能率複合研磨法の開発

Author (10)： KURITA TSUNEO (技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構) ,  MIYAKE KOJI (技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構) ,  KAWATA KENJI (技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構) ,  ASHIDA KIWAMU (技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構) ,  KATO TOMOHISA (技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構) ,  KURITA TSUNEO (産業技術総合研) ,  MIYAKE KOJI (産業技術総合研) ,  KAWATA KENJI (産業技術総合研) ,  ASHIDA KIWAMU (産業技術総合研) ,  KATO TOMOHISA (産業技術総合研)
Material： 砥粒加工学会誌  (Abrasive Technology)
Volume： 58  Issue： 1  Page： 30-35  Publication year： Jan. 01, 2014 
JST Material Number： L0473A  ISSN： 0914-2703  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： single crystal ,  *silicon carbide ,  *polishing(machining) ,  efficiency(labor) ,  wafer ,  material ,  working and processing ,  difficult-to-machine material ,  *ultraviolet irradiation ,  abrasive grain ,  hardness ,  *electrochemical machining ,  *photodissociation ,  silica glass ,  alumina ,  oxide film ,  metal working lubricant ,  sodium nitrate ,  silicon dioxide
Semi thesaurus term： silica ,  high hardness ,  high efficiency ,  *高能率複合研磨 ,  *単結晶SiC ,  processing resistant material

JST classification (1)： Grinding  (QC03000R)

Reference (15)：

• 1) Kazuo Arai: R&D of SiC semiconductor power device and strategy towerds their practical utilizatiom, Synthesiology, 3, 4 (2010) 259 (in Japanese).
• 2) 平成21 年度戦略的基盤技術高度化支援事業研究開発成果等報告書:単結晶SiC による高融点ガラスレンズ成形金型の開発, (2010) 6
• 3) T. Kato et al: High throughput SiC wafer polishing with good surface morphology, Materials Science Forum Vols. 556-557 (2007) 753.
• 4) T. Kurita, M. Hattori: A study of EDM and ECM/ECM-lapping Complex Machining Technology, INTERNATIONAL JOURNAL OF MACHINE TOOLS & MANUFACTURE, 46 (2006) 1804.
• 5) T. Kurita, M. Hattori: Development of New-Concept Desk Top Size Machine Tool, INTERNATIONAL JOURNAL OF MACHINE TOOLS & MANUFACTURE, 45 (2005) 959.

Terms in the title (3)： 高能率 ,  研磨 ,  開発